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無(wú)氧烘箱，無(wú)氧化烘箱在半導(dǎo)體集成電路制造過(guò)程中，晶圓表面預(yù)處理、涂膠、曝光前后的烘焙即曝光后烘烤（Post Exposure Bake，PEB）、對(duì)準(zhǔn)、顯影、顯影后烘焙等因素都會(huì)對(duì)光刻工藝效果帶來(lái)顯著影響
產(chǎn)品型號(hào)：廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家更新時(shí)間：2025-09-16訪 問(wèn) 量：3770
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無(wú)氧烘箱，無(wú)氧化烘箱的重要性
在半導(dǎo)體集成電路制造過(guò)程中，晶圓表面預(yù)處理、涂膠、曝光前后的烘焙即曝光后烘烤(Post Exposure Bake，PEB)、對(duì)準(zhǔn)、顯影、顯影后烘焙等因素都會(huì)對(duì)光刻工藝效果帶來(lái)顯著影響。更重要的是晶圓曝光后烘烤溫度的變化會(huì)影響終成像的光刻特征尺寸，因此光刻工藝中曝光后烘烤條件溫度的選取顯得尤為重要。然而在高溫烘烤時(shí)防氧化更為重要。
無(wú)氧烘箱，無(wú)氧化烘箱主要用途
無(wú)氧烘箱用半導(dǎo)體集成電路制造中的封裝，堅(jiān)膜，老化等工藝。PI、BCB膠高溫固化烘烤、光刻膠固化工藝要求，適用于觸摸屏、晶圓、LED、PCB板、ITO玻璃等.
無(wú)氧化烘箱技術(shù)性能
內(nèi)部大小：W350mm×D350mm×H350mm，W600mm×D600mm×H600mm可定制
材料：外部采用良好冷軋板噴塑，內(nèi)部采用良好耐高溫SUS304不銹鋼
溫度指標(biāo)：50-300、450℃
溫度分辨率： 0.1℃
波動(dòng)度：＜±1.0℃
均勻度：≤±1.5%
潔凈度： class 100，可選配
升溫速度：0-10℃/min
降溫速度:依降溫配置而定
氧濃度：≤ 20ppm
操作方式：人機(jī)交互；
控制：曲線升降溫模式
控溫儀表：進(jìn)口溫控儀
控溫段數(shù)：23×20段
測(cè)溫裝置：高精度熱電偶
超溫保護(hù)：獨(dú)立限溫保護(hù)
檢測(cè)點(diǎn)數(shù)：6點(diǎn)檢測(cè)，記錄儀
氮?dú)饪刂疲貉b有雙通道可調(diào)式氮?dú)饬髁坑?jì)，全程通氮?dú)?/span>
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